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MOS: p沟道 -30V MOS: p沟道 -30V -1A~-75A 富鼎先进(APEC)Part Number PackageTypeVDS (V)IDS (A)AP2303GN-HF SOT-23(N)P-30-1.9AP2305AGN-HF
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2014-04-23 |
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MOS: p沟道 -35V MOS: p沟道 -35V -7A~-25A 富鼎先进(APEC)Part Number PackageTypeVDS (V)IDS (A)AP4409AGEMSO-8(M) P-35-14.5AP4415GH TO-2
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2014-04-23 |
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MOS: p沟道 -40V MOS: p沟道 -40V -3A~-60A 富鼎先进(APEC)Part Number PackageTypeVDS (V)IDS (A)AP2321GN-HFSOT-23(N)P-40-3.1AP6677GH TO-2
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2014-04-23 |
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MOS: p沟道 -60V MOS: p沟道 -60V -2A~-45A 富鼎先进(APEC)Part Number Package TypeVDS (V)IDS (A)AP2311GN-HF SOT-23(N) P-60-1.8AP4951GM S
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2014-04-23 |
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MOS: p沟道 -80V MOS: p沟道 -80V -3A~-95A 富鼎先进(APEC)Part Number PackageTypeVDS (V)IDS (A)AP9581GS-HFTO-263(S)P-80-95AP9585GH TO-25
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2014-04-23 |
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MOS: p沟道 -100V MOS: p沟道 -100V -15A~-25A 富鼎先进(APEC)Part Number PackageTypeVDS (V)IDS (A)AP15P10GH-HFTO-252(H)P-100-15AP15P10GJ-
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2014-04-23 |
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MOS: p沟道 -140V MOS: p沟道 -140V -2A~-23A 富鼎先进(APEC)Part Number Package TypeVDS (V)IDS (A)AP15P15GH-HFTO-252(H) P-140-15AP15P15GI
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2014-04-23 |
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EEPROM存储芯片T24C02,可替代AT24C02 EEPROM存储芯片T24C02,可替代AT24C02T24C02是一个2K位EEPROM存储芯片,可以完全替代AT24C02工作温度:-40℃ to +85℃工作电压:
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2014-04-23 |