| 设为主页 | 保存桌面 | 手机版 | 二维码
普通会员

深圳市三佛科技有限公司

MOS管(2N60,4N60,7N60,8N80),IGBT,Power IC,肖特基二极管,三极管

新闻中心
  • 暂无新闻
产品分类
  • 暂无分类
联系方式
  • 联系人:王生
  • 电话:0755-85279055
  • 邮件:sanfo888@163.com
友情链接
您当前的位置:首页 » 供应产品 » MOS: 35V
MOS: 35V!2022已更新(今日/新闻)
点击图片查看原图
产品: MOS: 35V 
品牌: 富鼎先进
型号: 35V
规格: 35V
单价: 面议
最小起订量: 100 PCS
供货总量: 10000000 PCS
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
有效期至: 长期有效
最后更新: 2014-04-23 22:22
  询价
详细信息
MOS: 35V!2022已更新(今日/新闻)
 MOS: 35V  1A~60A
Part Number Package Type VDS (V) IDS (A)
AP3402GEH TO-252(H) N 35 38
AP4416GH TO-252(H) N 35 20
AP4418GH TO-252(H) N 35 33
AP4420GH TO-252(H) N 35 52
AP4420GJ TO-251(J) N 35 52
AP4425GM SO-8(M) N 35 13
AP4427GM SO-8(M) N 35 16
AP4429GM-HF SO-8(M) N 35 18
AP4511GD PDIP-8(D) N 35 7
AP4511GM SO-8(M) N 35 7
AP4511GH TO-252-4(H) N 35 15
AP4513GD PDIP-8(D) N 35 5.8
AP4513GM-HF SO-8(M) N 35 5.8
AP4513GH TO-252-4(H) N 35 10
AP4519GED PDIP-8(D) N 35 6.2
AP9418GM SO-8(M) N 35 24
AP9420GM-HF SO-8(M) N 35 25
AP9934GM SO-8(M) N 35 4.3
MOS: p沟道  -30V MOS: p沟道  -35V MOS: p沟道  -40V MOS: p沟道  -60V MOS: p沟道  -80V MOS: p沟道  -100V EEPROM存储芯片T24C02,可替代AT24C02 AP2306AGN
公司其他供应信息 | MOS: 7N60 富鼎先进,成启 | MOS: 4N60 富鼎先进,成启 | MOS: 2N60 富鼎先进,成启 | 2N65 | MOS: 4N65 富鼎先进,成启 | 7N65 | MOS:2N80,3N80,8N80 | MOS: 2N90,3N90,7N90,8N90,9N90 | MOS:2N70,4N70,7N70,8N70,9N70 | MOS: 2N65,4N65,7N65,9N65,10N65
询价单